Recientemente,
Baoshili
El conector en T de 1/2" para soldadura a tope de PFA ultralimpio de grado semiconductor superó con éxito las pruebas de rendimiento, incluyendo rugosidad y lixiviación de iones metálicos, cumpliendo con las especificaciones SEMI F57. Como modelo clave en la línea de conectores de PFA de grado semiconductor de la compañía, no solo marca la innovación de Baoshili en el campo de los componentes de núcleo de fluido de alta pureza, sino que también la respalda en el desarrollo de una solución integrada para sistemas de suministro de productos químicos de grado semiconductor.
En los procesos de fabricación avanzados, el control de la contaminación metálica se ha convertido en un factor crítico que determina el rendimiento del chip. Los materiales de PFA ultrapuros son componentes esenciales para la administración de productos químicos en la fabricación de semiconductores. La conexión en T de PFA ultralimpia para soldadura a tope de 1/2" de Baoshili ofrece una limpieza ultraalta y una excelente resistencia a ácidos y álcalis. Forma una conexión en forma de T, lo que facilita la distribución o convergencia de fluidos multitrayectoria y se utiliza ampliamente en sistemas de tuberías complejos para la fabricación de semiconductores.
A través de procesos de fabricación patentados, el producto ha logrado avances en múltiples indicadores:
Lixiviación de iones metálicos ultra bajos
La contaminación metálica puede alterar las propiedades eléctricas de los dispositivos microelectrónicos y causar corrosión o grabado en superficies clave durante la fabricación, lo que puede provocar fallos en el dispositivo. Los niveles de lixiviación de iones metálicos de la conexión en T de PFA ultralimpia para soldadura a tope de 1/2" de Baoshili —incluyendo aluminio (Al), arsénico (As), antimonio (Sb), cadmio (Cd), cromo (Cr), cobre (Cu), hierro (Fe), plomo (Pb), litio (Li), magnesio (Mg), manganeso (Mn), níquel (Ni), sodio (Na), titanio (Ti), estaño (Sn), vanadio (V) y zinc (Zn)— cumplen con la norma SEMI F57, satisfaciendo así los exigentes requisitos de control de contaminación de los procesos avanzados.
Pared interior ultrasuave
Con una rugosidad superficial interna de Ra ≤ 0,35μm, evita la retención de líquidos y la formación de incrustaciones, reduciendo los riesgos de contaminación.
Resistencia a altas temperaturas
Mantiene propiedades químicas estables dentro de un rango de temperatura de -40℃ a 260℃.
Resistencia a la corrosión
Resiste productos químicos corrosivos como ácidos fuertes (ácido fluorhídrico, ácido nítrico) y álcalis fuertes (agua amoniacal), sin migración de metales durante el uso a largo plazo.
Soldadura termofusible integrada
El
Ajuste de PFA ultralimpio
forma un enlace a nivel molecular con tuberías de PFA ultralimpias a través de soldadura por fusión en caliente, creando un sistema completo de suministro de productos químicos y garantizando la pureza y estabilidad de los procesos de fabricación de semiconductores.
Actualmente, solo unas pocas empresas nacionales han desarrollado productos de fluoropolímero ultrapuro de grado semiconductor. Gracias a su investigación y desarrollo independientes, Baoshili ha superado con éxito tecnologías clave como la purificación de materiales de alta pureza y el moldeo de precisión, lanzando con éxito productos de grado semiconductor, como la te de soldadura a tope de PFA ultralimpio de 1/2" y diversos modelos de tuberías de PFA ultralimpio, ampliamente utilizadas por las principales empresas de semiconductores.
A medida que la industria global de semiconductores avanza hacia la era de los 3 nm, el control de la contaminación a nanoescala en los sistemas de suministro de productos químicos se ha convertido en un obstáculo crítico que limita las tasas de rendimiento. Baoshili incrementa continuamente la inversión en I+D en productos de fluoropolímero de alta pureza y colabora activamente con socios de la industria para formular el estándar del grupo: tubos de politetrafluoroetileno (PFA) ultrapuro procesable por fusión de grado semiconductor, con el objetivo de acelerar el desarrollo de semiconductores nacionales.
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